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【2h】

Surface potential calculation and drain current model for junctionless double-gate polysilicon TFTs

机译：无结双栅多晶硅TFT的表面电位计算和漏极电流模型

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W. Deng; X. Ma; J. Huang;
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年度 2014
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1. Surface potential calculation and drain current model for junctionless double-gate polysilicon TFTs [J] . W. Deng, X. Ma, J. Huang AIP Advances . 2014,第8期

机译：无结双栅极多晶硅TFT的表面电势计算和漏极电流模型
2. A surface-potential based drain current model for short-channel symmetric double-gate junctionless transistor [J] . Baruah Ratul Kumar, Paily Roy P. Journal of Computational Electronics . 2016,第1期

机译：基于表面电势的短沟道对称双栅无结晶体管的漏极电流模型
3. Surface-Potential-Based Drain Current Model for Long-Channel Junctionless Double-Gate MOSFETs [J] . Chen Z., Xiao Y., Tang M., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第12期

机译：长表面无结双栅极MOSFET的基于表面电势的漏极电流模型
4. Analytical drain current model for long-channel double-gate negative capacitance junctionless transistors using Landau theory [C] . Chunsheng Jiang, Renrong Liang, Jing Wang, IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits . 2016

机译：基于Landau理论的长沟道双栅负电容无结晶体管的分析漏电流模型
5. Calculations of step-edge currents on crystal surfaces. [D] . Pflueger, Randall John. 2006

机译：晶体表面的阶跃边缘电流的计算。
6. Understanding the Role of Temperature and Drain Current Stress in InSnZnO TFTs with Various Active Layer Thicknesses [O] . Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai, 2020

机译：了解温度和漏极电流应力在具有不同有源层厚度的InSnZnO TFT中的作用
7. Analytic model for the surface potential and drain current in negative capacitance field-effect transistors [O] . Jimenez, David, Miranda, Enrique, Godoy, Andres 2010

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